CPU 單元 KV-8000

型號

KV-8000

一般規格

電源電壓

使用KV-5000/3000 系列 擴充單元之 系統構成時:
24 VDC (±10%)
僅有KV-8000/7000 系列 擴充單元之 系統構成時:
24 VDC (-15% +20%)

環境溫度

使用KV-5000/3000 系列 擴充單元之 系統構成時:
0 至+50°C^*1*2 (無凍結)
僅有KV-8000/7000 系列 擴充單元之 系統構成時:
0 至+55°C^*1*2 (無凍結)

相對濕度

使用KV-5000/3000 系列 擴充單元之 系統構成時:
10 至95%RH^*1 (無凝結)
僅有KV-8000/7000 系列 擴充單元之 系統構成時:
5 至95%RH^*1 (無凝結)

保存環境溫度

使用KV-5000/3000 系列 擴充單元之 系統構成時:
-20 至+70°C^*1
僅有KV-8000/7000 系列 擴充單元之 系統構成時:
-25 至+75°C^*1

儲存相對濕度

使用KV-5000/3000 系列 擴充單元之 系統構成時:
10 至95%RH^*1 (無凝結)
僅有KV-8000/7000 系列 擴充單元之 系統構成時:
5 至95%RH^*1 (無凝結)

使用環境

塵埃及腐蝕性氣體不多的環境

使用標高

2000 m 以下

耐雜訊性

1500 Vp-p 以上
脈衝持續時間 1 µs、50 ns(由雜訊模擬器所產生)
符合IEC 規格(IEC61000-4-2/3/4/6)

耐電壓

1500 VAC 1 分鐘
(電源端子與輸入輸出端子間，及所有外部端子與外殼間)

絕緣電阻

50 MΩ 以上
(以500 VDC 高阻計測量，在電源端子與輸入輸出端子之間，
及所有外部端子與外殼之間)

耐振動性

如出現間歇性振動時

頻率 5 至 9 Hz

半振幅: 3.5 mm^*3

頻率 9 至 150 Hz

加速度: 9.8 m/s^2*3

連續振動時

頻率 5 至 9 Hz

半振幅: 1.75 mm^*3

頻率 9 至 150 Hz

加速度: 4.9 m/s^2*3

內部消耗電流

400 mA 以下^*4

耐衝擊

加速度 150 m/s²、作用時間11 ms、X、Y、Z 各方向均2 次

過電壓種類

Ⅰ(使用KV-PU1 時為 Ⅱ)

污染等級

2

重量

KV-8000：約340 g
KV-B1(電池)：約10 g

性能規格

運算控制方式

內存程式方式

輸入輸出控制方式

刷新方式

程式語言

擴展式階梯圖、KV 腳本、助憶碼

指令數

基本指令: 80 類181 語
應用指令: 50 類67 語
算術運算指令: 125 類318 語
擴充指令: 77 類132 語
合計: 332 類698 語

指令執行 速度

基本指令: 最小0.96 ns
應用指令: 最小5.75 ns
雙精度浮點數指令: 最小58 ns

CPU 記憶體容量

64 MB

程式容量

約1500 k 步

最大安裝單元數

16 台(僅KV-8000/7000 系列擴充單元)
48 台(KV-8000/7000 系列擴充單元、
KV-5000/3000 系列擴充單元
(使用擴充單元(KV-EB1)時))

最大I/O 點數

擴充時 最大3072 點
(KV-EB1S/KV-EB1R：使用2 台、使用64 點單元時)

位元元件

輸入繼電器 R

合計 32000點　1位元

輸出繼電器 R

內部輔助繼電器 R

自我診斷功能

CPU 異常、RAM 異常、其他

位元元件

鏈路繼電器 B

32768 點　1 位元

內部輔助繼電器 MR

64000 點　1 位元

鎖存繼電器 LR

16000 點　1 位元

控制繼電器 CR

1280 點　1 位元

字組元件

計時器 T

4000 點　32 位元

計數器 C

資料記憶體 DM

65535 點　16 位元

擴充資料記憶體 EM

檔 寄存器

目前儲存區 FM

524288 點　16 位元

連號方式 ZF

鏈路暫存器 W

32768 點　16 位元

暫存記憶體 TM

512 點　16 位元

索引暫存器 Z

12 點　32 位元

控制記憶體 CM

7600 點　16 位元

注釋與標號 本體收納數

元件注釋

約224000 個

標號

約285000 個

停電保持 功能

程式記憶體

Flash ROM　可覆寫1 萬次

元件

非揮發性RAM

日曆計時器

備份用電容器 約15 天(+25°C)
(使用KV-B1(電池)時 約5 年(+25°C))