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由於進行高速曝光,即使工件振動也能確實拍攝目標物,進行正確量測。
藉由將量測用CMOS 的周邊電路單晶片化,大幅提高了S/N 比,實現高速取樣。例如,能以約1 mm 的間距量測輸送速度為1000 m/分的工件。此外,亦可穩定量測高速振動的工件。
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