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靜電擊穿類型

器件靜電擊穿可分為 3 種主要類型。

氧化膜擊穿

氧化膜擊穿是指 MOS 電晶體的柵極氧化膜或其他此類器件損壞。
這種擊穿不是由放電造成的,而是由器件自身所帶電荷的電位差造成的。

PN 結擊穿

超額電壓載入到 PN 結的反向偏壓方向(電流正常流動的反方向),產生的熱量導致 PN 結被擊穿。
然而不僅僅是反向偏壓方向的超額電壓,在標準方向上載入超標電流也可能會造成擊穿。

接線熔合

載入超過容許範圍的超標電流時產生的熱量會引起電路圖案熔合或結合在一起。